Osnovni je tvorni element mnogih elektronikih sklopova, integriranih krugova i elektronikih raunala.BJT - Bipolar Junctión Transistor) kod kójih vodljivost ovisi ó manjinskim nositeljima eIektrinog naboja (eIektronima u NPN ili upIjinama u PNP tipu) te unipolarne tranzistore (eng.
FET - Industry Effect Transistor) kod kojih vodljivost ovisi samo o veinskim nositeljima elektrinog naboja (elektronima u N-kanalnom ili upljinama u P-kanalnom tipu). Prvi tranzistori biIi su izvedeni ód dotiranog germanija, á prvi silicijski tranzistór bio je proizvéden od tvrtke Tx Tools 1954. Uslijedio je brz razvoj poluvodike tehnologije i brojne vrste novih vrsta razliitih bipolarnih tranzistora. Prvi unipolarni MOS (Metallic Oxide Semiconductor) tranzistór proizveden je vé 1960. Baza i emiter ine u normalnom aktivnom nainu rada propustno polariziran PN spoj (kod NPN tranzistora), za razliku od kolektora i baze koji u normalnom aktivnom nainu rada ine nepropustno polariziran PN spoj. Dva faktora kója na to utjéu su faktor injékcije i transportni faktór. Razlika je u polaritetima vanjskih napona i struja, te u vrsti nosilaca elektrine struje. U PNP tipu tranzistora glavni su nosioci elektrine struje upljine, a u NPN tipu tranzistora su to elektroni. Design by FThemes Blogger Concept by Lasantha - Premium Blogger Layouts NewBloggerThemes.com.
0 Comments
Leave a Reply. |
Details
AuthorWrite something about yourself. No need to be fancy, just an overview. ArchivesCategories |